Как определить структуру транзистора

Транзистор может иметь p-n-p или n-p-n структуру с двумя электронно-дырочными переходами, поэтому схематически его можно изобразить в виде комбинации двух полупроводниковых диодов (смотрите рисунок ниже). Так как каждый из диодов пропускает ток при условии приложения к нему напряжения, обращенного плюсом к аноду и минусом к катоду, то исходя из рисунка нетрудно прийти к выводу, что в триодах структуры p-n-p сопротивления эмиттерного и коллекторного переходов малы. если приложенное к ним напряжение обращено к базе минусом, а в триодах структуры n-p-n, наоборот, сопротивления переходов малы, если приложенное напряжение обращено к базе плюсом.

Из изложенного следует: определить структуру транзистора с помощью омметра (входящего, например, в состав прибора ТТ-1) можно следующим образом:

1) подготовить ТТ-1 для измерения сопротивлений, при этом штекеры соединительных шнуров должны быть введены в гнезда «Общ» и «0 Х 10» или «П Х 100»;

2) присоединить штекер шнура, введенного в гнездо «Общ» (в тестере типа ТТ-1 гнездо "Общ" является положительным полюсом омметра), к базе испытуемого транзистора, а штекер второго шнура — к эмиттеру, а затем к коллектору, и зафиксировать показания омметра;

3) поменять местами концы шнуров у ТТ -1 и проделать то, что изложено в пункте 2.

Если в первом случае т. е при подаче на переходы напряжения, обращенного плюсом к фазе, омметр показывает большие сопротивления, а во втором случае (при подаче на переходы напряжения, обращенного минусом к базе) малые, то испытуемый транзистор имеет структуру p-n-p; если же в первом случае показания уменьшаются почти до нуля, а во втором - резко увеличиваются, то транзистор имеет структуру n-p-n.

В случае использования другого омметра необходимо перед измерением сопротивлений переходов определить полярность напряжения на концах соединительных шнуров омметра. Осуществить это можно при помощи вольтметра, снабженного знаками «+» и « - » (или только знаком «+»).