Как проверить обрыв выводов транзистора

Проверка отдельно взятого транзистора на отсутствие обрывов выводов его электродов не представляет труда, для этого достаточно измерить прямые (rпр) и обратные (rобр) сопротивления эмиттерного и коллекторного переходов. Если rобр превышает rпр в тысячи и десятки тысяч раз, то выводы электродов считают целыми. Если же результаты измерения прямого и обратного сопротивлении совпадают (rпр=rобр=∞) то наличие обрыва одного из выводов не вызывает сомнений.

Так как нарушение контакта в цепи любого из электродов транзистора вызывает исчезновение тока в этой цепи, а следовательно и изменения напряжений на электродах, то обнаружить этот вид неисправности транзистора можно, не выпаивая полупроводниковый прибор из схемы.

Рассмотрим процесс проверки транзистора в схеме на примере работы первой ступени усилителя промежуточной частоты транзисторного приемника « Космос ». Схема этой ступени и измеренные относительно корпуса напряжения на электродах исправного транзистора Т2 приведены на рисунке.

 
Предположим, что в транзисторе произошел обрыв вывода эмиттера. Совершенно очевидно, что в этом случае полуторный ток уменьшится почти до нуля, следовательно, Падение напряжения на резисторе R7 станет очень малым и напряжение на коллекторе увеличится (по абсолютной величине) до 1,64 в. 
Итак, первым признаком обрыва вывода эмиттера является повышение абсолютного значения напряжения на коллекторе транзистора (в данной схеме с 0,72 до 1,64в).
Далее. С прекращением тока в цепи эмиттера исчезает падение напряжения на резисторе R6, которое было равно до появления неисправности - 0,06 в. Следовательно, вторым признаком нарушения контакта в цепи эмиттера является уменьшение абсолютного значения напряжения на эмиттере до нуля. 
И, наконец, последний вывод. Так как с нарушением контакта в цепи эмиттера увеличивается сопротивление между точкой А и корпусом (за счет отключения ветви, в которую входят резистор R6 и прямое сопротивление эмиттерного перехода), то потенциал точки А при этом несколько уменьшается в данной схеме: с 0,19 до 0,22 в (при сравнении двух отрицательных чисел меньшим из них считают то число, которое имеет большее абсолютное значение).

Рассмотрим теперь случай обрыва вывода базы.
При нарушении контакта в цепи базы напряжение между эмиттером и базой становится равным нулю. Вследствие этого коллекторный ток уменьшается почти до нуля, падение напряжения на резисторе R7 резко уменьшается и абсолютное значение напряжения на коллекторе увеличивается до 1,58 в.

С уменьшением тока в цепи коллектора почти полностью исчезает падение напряжения на резисторе R6, следовательно, напряжение на эмиттере, равное до появления неисправности - 0,06в, повышается почти до нуля. Поскольку результирующее сопротивление между точкой А и корпусом увеличивается (за счет отключения ветви, в которую входят резистор R6 и прямое сопротивление эмиттерного перехода), то потенциал точки А понижается до той же величины (- 0,22в), которая была отмечена при порыве вывода эмиттера.
Таким образом, признаками обрыва вывода базы являются: повышение абсолютного значения напряжения на коллекторе, равенство нулю напряжения на эмиттере и некоторое (на несколько сотых долей вольта) повышение абсолютного значения напряжения на базе.

Переходим теперь к рассмотрению последнего случая, к случаю обрыва вывода коллектора.
При этой неисправности транзистора ток в цепи коллектора спадает до нуля и, следовательно, абсолютное значение напряжения между точкой К и корпусом резко повышается (с 0,72 в при исправном транзисторе до 1,64 в). Так как ток в коллекторной цепи отсутствует и через резистор R6 протекает очень слабый ток (по цепи: «+» источника питания, резистор Р6, эмиттерный переход транзистора, нижняя часть катушки L7, резисторы R4 и R18, « - » источника питания), то напряжение на эмиттере, равное падению напряжения на резисторе R6, уменьшается почти до нуля.
Что касается напряжения на базе, то абсолютное значение его уменьшается (с 0,19в до 0,12в), Объясняется это некоторым увеличением тока через резистор R4, что вызывает рост падения напряжения на нем и, следовательно, уменьшение напряжений на резисторах R6 и R11.

Итак, признаками обрыва вывода коллектора являются увеличение отрицательного напряжения на коллекторе, уменьшение напряжения на эмиттере почти до нуля и некоторое уменьшение отрицательного напряжения на базе.
Если условиться обозначать:
1) значительное (в 2—3 раза) увеличение абсолютного значения напряжения на электроде транзистора утолщением электрода;
2) незначительное (на 15—20%) увеличение абсолютного значения напряжения небольшим утолщением электрода;
3) исчезновение напряжения зачернением электрода
4) незначительное уменьшение абсолютного значения напряжения штриховкой электрода, то рассмотренные случаи неисправности транзистора и связанные с ними изменения напряжений можно более наглядно представить в виде, показанном на рисунке

В заключение следует отметить два обстоятельства:

1) описанный метод проверки транзисторов основан на сравнении постоянных напряжений, устанавливающихся на электродах полупроводниковых триодов до и после обрыва вывода: следовательно, для того, чтобы можно было воспользоваться этим методом, необходимо заранее измерить постоянные напряжения на электродах и хранить эти данные в виде карты напряжений;

2) приведенные выше сведения об изменениях напряжений на электродах транзисторов могут быть использованы не только для проверки исправности полупроводниковых приборов, но и для испытания цепей их электродов на обрыв. Действительно, такие неисправности в рассмотренной схему, изображенную на рис. 1.36, и замечают показание прибора, Чем больше отклоняется стрелка миллиамперметра, тем больше коэффициент усиления В.

Для отбора широко распространенных германиевых транзисторов П13 — П16 используют миллиамперметр с током полного отклонения 10мА, батарею для карманного фонаря типа КБС-Л-0,5 и резисторы R=15 ком и Rогр =330÷390ом.